緩衝氧化物蝕刻液（BOE）通過去除或減薄半導體矽片薄膜未被光阻覆蓋的氧化層部分而達到蝕刻的目的，常用於微結構製作和矽基發光器件中。

BOE蝕刻液通常以超純水為溶劑，將一定濃度HF和NH4F按一定比例混合，得到所需配比的BOE蝕刻液。但上述製備方法得到的BOE蝕刻液表麵張力很大，對半導體矽片蝕刻層的潤濕性不能達到理想效果，導致光刻膠嚴重變形。現有技術中，常通過向蝕刻液中引入表麵活性劑來提高蝕刻潤濕性和均一性。但是由於BOE蝕刻液自身特性，表麵活性劑在蝕刻液中的均勻分散存在困難，通常需要花費長時間的攪拌來保證表麵活性劑均勻分散。

因此，如何獲得兼具高潤濕性和較小的表麵張力的緩衝氧化物蝕刻液（BOE）成為亟需解決的問題。

針對目前BOE蝕刻液潤濕性不理想的問題，提出一種高潤濕性緩衝氧化物蝕刻液，該蝕刻液具有高潤濕性和較小的表麵張力，能實現微細加工和芯片製造中的圖案和結構形成，解決現有蝕刻液蝕刻不均勻和蝕刻後圖案變形問題。

一種高潤濕性緩衝氧化物蝕刻液，包括重量配比如下的各組分：

氫氟酸530份；

含氟離子的多羥基烷基季銨鹽110份；

光刻膠保護劑0.11份；

增溶劑15份；

超純水2060份；

采用蝕刻液蝕刻晶圓表麵氧化矽層的方法如下：

步驟1：將蝕刻液放置在40L的化學槽中，保持溫度在25℃，將晶圓垂直放置在卡槽內，蝕刻液以4L/min的速度進行循環；

步驟2：待步驟1的蝕刻結束後，將晶圓放置在裝滿超純水的化學槽中，所述化學槽中超純水以4L/min的速度進行循環，放置5min後取出；

步驟3：用100L/min流量的高純氮氣吹掃晶圓表麵13min，即完成晶圓表麵氧化矽層的蝕刻處理。

性能測試1表麵張力：

利用小黄片下载安装測得表麵張力數據。測試結果參見表5；

性能測試2潤濕性和光刻膠變形情況：

在光學顯微鏡下觀察形貌，通過蝕刻後形貌判斷潤濕性和光刻膠變形情況，若潤濕性好，則孔隙中無SiO2

殘留且光刻膠無變形脫落，反之則脫落嚴重。

性能測試3多羥基烷基季銨鹽FTIR：

使用ATR附件，掃描背景去除雜峰後將取少量多羥基烷基季銨鹽放在測試位置開始進行紅外光譜掃描。在3300nm1附近的寬吸收峰可歸屬為羥基吸收峰，亞甲基的吸收峰分別位於2900nm1和1200~1400nm1附近，1100nm1處為CF的吸收峰區。

采用多羥基烷基季銨鹽和茚類的光刻膠保護劑的組合，能夠顯著降低蝕刻液的表麵張力，提高對基材的潤濕性，在蝕刻過程中保護光刻膠的非正常形變與脫落。